NAND01GR3B2CZA6E 集成电路 IC 存储器_深圳市怡兴业电子科技有限公司

企业信息

深圳市怡兴业电子科技有限公司

卖家积分： 6001分-7000分

营业执照：已审核

经营模式：贸易/代理/分销

所在地区：广东深圳

企业网站：
www.yixingye.com

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NAND01GR3B2CZA6E 集成电路 IC 存储器

型号/规格：

NAND01GR3B2CZA6E

品牌/商标：

NUMONYX/ST

封装：

VFBGA63

批号：

10+

包装方式：

卷带编带包装

询价

产品信息

类别
集成电路（IC）
存储器
制造商
Micron Technology Inc.
系列
-
包装
托盘
零件状态
停产
存储器类型
非易失
存储器格式
闪存
技术
闪存 - NAND
存储容量
1Gb（128M x 8）
存储器接口
并联
写周期时间 - 字，页
25ns
访问时间
25 ns
电压 - 供电
1.7V ~ 1.95V
工作温度
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
63-TFBGA
供应商器件封装
63-VFBGA（9.5x12）
基本产品编号
NAND01

公司还提供以下

封装： 0201（0603） 0402（1005） 0603（1608） 0805（2102） 1206（3216）
1210（3225） 1812（4532） 2220（5750）NAND01GR3B2CZA6E
电压：4V 6.3V 10V 16V 25V 50V 63V 100V 200V 250V 400V 500V 630V
1KV 2KV 3KV 5KVNAND01GR3B2CZA6E
精度：±0.05PF（A档） ±0.1PF（B档） ±0.25PF（C档） ±0.5%（D档）
±1%（F档） ±2%（G档） ±5%（J档） ±10%（K档）
±20%（M档） ±+80%-20%（Z档）NAND01GR3B2CZA6E
材质：COG NPO Y5V X5R X6S X7R

品牌：村田三星国巨风华华新

温馨启示：电子元件是特殊产品，技术含量较高，由于本身可能存在着多种品牌，后辍与封装，所以可能导致参数与性能的差异，如有不慎，很有可能导致元件购买错误(此种失误，非质量问题一律不退换！)，为了的解决您的问题，请您在购买我们元件前，将您所需产品的品牌、封装、脚位及后缀告诉我们！拍下物品前请与我沟通产品价格，因格不稳定，实时单价请在线咨询，以便我们能准确的发货

全系列电容均有现货，如有查不到请联系客服，竭诚为您服务。

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认证现货(2000)

优势库存(5000)

普通库存(500000)

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电源IC(1807)

二极管(516)

三极管(37)

场效应管MOSFET(21)

可控硅IGBT(1)

电容器(1280)

电阻器(15)

电感器(2)

连接器/接插件(73)

开关(1)

传感器(14)

变压器(1)

继电器(4)

LED(2)

其他未分类(570)

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