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会员类型:
会员年限:4年
类别
分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带(TR)
剪切带(CT)
零件状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
28 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
9A(Ta)
驱动电压(Rds On,Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻
8 毫欧 @ 14A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)
2V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)
23 nC @ 4.5 V
Vgs
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)
2400 pF @ 16 V
FET 功能
-
功率耗散
930mW(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-SOIC
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
基本产品编号
NTMS45
公司还提供以下
封装: 0201(0603) 0402(1005) 0603(1608) 0805(2102) 1206(3216)品牌:村田 三星 国巨 风华 华新
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