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4年
企业信息

深圳市怡兴业电子科技有限公司

卖家积分:6001分-7000分

营业执照:已审核

经营模式:贸易/代理/分销

所在地区:广东 深圳

企业网站:
www.yixingye.com

人气:747970
企业认证
现货认证
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相关证件:营业执照已审核 

会员类型:

会员年限:4年

赵小姐 QQ:3008065116

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IRF6691TR1 分立半导体产品 晶体管
IRF6691TR1 分立半导体产品 晶体管
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IRF6691TR1 分立半导体产品 晶体管

型号/规格:

IRF6691TR1

品牌/商标:

IR

封装:

QFN

批号:

06+05

包装方式:

卷带编带包装

产品信息

类别
分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
卷带(TR)
零件状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
32A(Ta),180A(Tc)
驱动电压(Rds On,Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻
1.8 毫欧 @ 15A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)
2.5V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)
71 nC @ 4.5 V
Vgs
±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)
6580 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散
2.8W(Ta),89W(Tc)
工作温度
-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
DIRECTFET™ MT
封装/外壳
DirectFET™ 等容 MT

公司还提供以下

封装: 0201(0603) 0402(1005) 0603(1608) 0805(2102) 1206(3216)
1210(3225) 1812(4532) 2220(5750)IRF6691TR1
电压:4V 6.3V 10V 16V 25V 50V 63V 100V 200V 250V 400V 500V 630V
1KV 2KV 3KV 5KVIRF6691TR1
精度:±0.05PF(A档) ±0.1PF(B档) ±0.25PF(C档) ±0.5%(D档)
±1%(F档) ±2%(G档) ±5%(J档) ±10%(K档)
±20%(M档) ±+80%-20%(Z档)IRF6691TR1
材质:COG NPO Y5V X5R X6S X7R

品牌:村田 三星 国巨 风华 华新

温馨启示:电子元件是特殊产品,技术含量较高,由于本身可能存在着多种品牌,后辍与封装,所以可能导致参数与性能的差异,如有不慎,很有可能导致元件购买错误(此种失误,非质量问题一律不退换!),为了的解决您的问题,请您在购买我们元件前,将您所需产品的品牌、封装、脚位及后缀告诉我们!拍下物品前请与我沟通产品价格,因格不稳定,实时单价请在线咨询,以便我们能准确的发货

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