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会员类型:
会员年限:4年
类别
分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
管件
零件状态
Digi-Key 停止提供
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
105A(Tc)
驱动电压(Rds On,Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻
11.8 毫欧 @ 63A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)
5V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)
110 nC @ 10 V
Vgs
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)
5320 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散
380W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D2PAK(7-Lead)
封装/外壳
TO-263-7,D2Pak(6 引线 + 接片),TO-263CB
公司还提供以下
封装: 0201(0603) 0402(1005) 0603(1608) 0805(2102) 1206(3216)品牌:村田 三星 国巨 风华 华新
温馨启示:电子元件是特殊产品,技术含量较高,由于本身可能存在着多种品牌,后辍与封装,所以可能导致参数与性能的差异,如有不慎,很有可能导致元件购买错误(此种失误,非质量问题一律不退换!),为了的解决您的问题,请您在购买我们元件前,将您所需产品的品牌、封装、脚位及后缀告诉我们!拍下物品前请与我沟通产品价格,因格不稳定,实时单价请在线咨询,以便我们能准确的发货
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